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新聞資訊

動(dòng)態(tài) | 奧趨光電亮相第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線(xiàn)主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術(shù)（杭州）...

邀請(qǐng) | 奧趨光電與您相約第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線(xiàn)主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有...

奧趨光電祝您新春快樂(lè)！

奧趨光電祝您新春快樂(lè)，馬年大吉

動(dòng)態(tài) | 區(qū)委書(shū)記周徐胤一行蒞臨奧趨光電指導(dǎo)調(diào)研

2月4日，臨平區(qū)委書(shū)記周徐胤同志來(lái)訪(fǎng)奧趨光電，開(kāi)展指導(dǎo)調(diào)研和服務(wù)工作，區(qū)委辦、臨平經(jīng)開(kāi)區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人等陪同。奧趨光電首席執(zhí)行官吳亮、綜合管理部總經(jīng)理陳鵬等進(jìn)行了熱情接待。

動(dòng)態(tài) | 奧趨光電亮相第40屆NEPCON JAPAN，全球同步推行AlN單晶襯底普惠價(jià)

2026年1月21-23日，第40屆NEPCON JAPAN電子科技博覽會(huì)在日本東京有明國(guó)際展覽中心隆重舉行。作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸氮化鋁單晶襯底全套制程和批量制造能力的領(lǐng)先技術(shù)企業(yè)之一...

2026-03
23

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線(xiàn)主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸第四代半導(dǎo)體氮化鋁單晶襯底全套制程能...

2026-03
16

2026年3月18-19日，由浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心和半導(dǎo)體在線(xiàn)主辦的第二屆第四代半導(dǎo)體研討會(huì)將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸第四代半導(dǎo)體AlN單晶襯底全套制程能力...

2026-02
16

奧趨光電祝您新春快樂(lè)，馬年大吉

2026-02
09

2月4日，臨平區(qū)委書(shū)記周徐胤同志來(lái)訪(fǎng)奧趨光電，開(kāi)展指導(dǎo)調(diào)研和服務(wù)工作，區(qū)委辦、臨平經(jīng)開(kāi)區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人等陪同。奧趨光電首席執(zhí)行官吳亮、綜合管理部總經(jīng)理陳鵬等進(jìn)行了熱情接待。

2026-02
09

2026年1月21-23日，第40屆NEPCON JAPAN電子科技博覽會(huì)在日本東京有明國(guó)際展覽中心隆重舉行。作為全球極少數(shù)幾家具備高質(zhì)量、大尺寸氮化鋁單晶襯底全套制程和批量制造能力的領(lǐng)先技術(shù)企業(yè)之一，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司連續(xù)第三屆亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...

2026-02
02

——2英寸AlN襯底P級(jí)標(biāo)準(zhǔn)片僅需25,000元/片，同等投入實(shí)現(xiàn)雙倍研發(fā)效能，加速超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化

2026-03
16

超寬禁帶（UWBG）AlGaN合金（Al組分 xAl > 0.50）因其固有的高臨界電場(chǎng)強(qiáng)度，以及由此產(chǎn)生的、優(yōu)于當(dāng)前GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的約翰遜優(yōu)值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高頻（> 90 GHz）射頻晶體管。此外，與GaN相比，...

2026-03
02

美國(guó)Soctera公司與射頻巨頭Qorvo公司的研究人員展示了一種在射頻代工工廠(chǎng)中制造的高電子遷移率晶體管（HEMT），其氮化鎵（GaN）溝道層夾在超寬帶隙氮化鋁（AlN）頂部和背部勢(shì)壘/緩沖層之間。

2026-01
13

譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...

2025-12
25

日本NTT成功開(kāi)發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應(yīng)用領(lǐng)域：從功率轉(zhuǎn)換到無(wú)線(xiàn)通信

2025-12
15

氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關(guān)鍵指標(biāo)——巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit）超過(guò)所有其他超寬禁帶半導(dǎo)體。然而，器件性能受限于與摻雜相關(guān)的困難，包括高電離能以及自補(bǔ)償缺陷的形成。

2025-12
08

康奈爾大學(xué)的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新型晶體管架構(gòu)，該技術(shù)有望重塑高功率無(wú)線(xiàn)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)范式，同時(shí)能緩解關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。這種名為XHEMT的器件在氮化鋁體單晶襯底上生長(zhǎng)了超薄氮化鎵層。氮化鋁作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有缺陷密度低、耐高壓高溫、可減少電能損耗等優(yōu)異特性。